報告題目：InGaAs/InAlAs 雪崩光電探測器的研制及其應用

　　報告人：趙彥立（武漢光電國家研究中心）

　　時間：4月28日（星期一）15:00-16:00

　　地點：理學院1-401

　　報告摘要：近年來，伴隨著智能駕駛技術、量子保密通信、3D成像及空天一體化通信等應用領域的不斷發展，高速雪崩光電探測器（APD）逐漸成為研究熱點。InGaAs/InP及InGaAs/InAlAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)是近紅外光探測系統的核心芯片。經長期積累，已報道的InGaAs/InP SPAD展示出實用性強、可靠性高等優勢，是目前商用近紅外單光子探測的主流選擇。但值得思考的是，InGaAs/InAlAs APD具有更大的增益-帶寬積，更能滿足“高速”光探測系統的需求。本報告報道了匯報人課題組在“高速”InGaAs/InAlAs APD的優化設計和研制方面的近期進展，探討了其在智能駕駛用激光雷達、單光子探測、光計數通信及X-Ray探測等領域的實際應用。

　　報告人簡介：

　　趙彥立，博士，教授，博士生導師，武漢光電國家研究中心研究員。2002 年7月在浙江大學獲得博士學位。2002 年7月-2004年12月在武漢郵電科學研究院（武漢電信器件有限公司，WTD）工作，主要從事通信用光探測器的研究；2004 年12月-2006年12月于（日本）名古屋大學量子工程系/Venture Business Laboratory（VBL）從事博士后研究工作。2006年12月年作為引進人才受聘于華中科技大學/武漢光電國家研究中心任副教授、教授至今。在 IEEE/Optica Journal of Lightwave Technology、IEEE Sensor Journal、Optics Express, IEEE Electron Device Letters 等國際知名雜志發表論文50余篇，授權專利20余項，包括2項美國專利。