報告題目：密度泛函理論的半導體帶隙問題及解決方案

　　報告人：薛堪豪（華中科技大學）

　　時間：9月11日（星期三）15:00-16:00

　　地點：理學院1-401

　　報告內容：

　　半導體電子能帶結構的計算是微電子與光電子學科關注的核心問題之一?；诘谝辉淼拿芏确汉碚摽梢詫崿F無經驗參數的從頭計算，但存在半導體帶隙嚴重低估的問題，所以在半導體工業中尚沒有得到應用。本報告將回顧固體能帶計算的歷史和現狀，深入分析密度泛函理論帶隙問題產生的根源，并介紹在局域密度近似（LDA）和廣義梯度近似（GGA）計算復雜度下的各類解決方案。特別是介紹巴西學者費雷拉等人提出的DFT-1/2方法，以及我們改進后的shell DFT-1/2方法。作為典型應用，我們還將介紹該方法在銻化物超晶格紅外探測材料以及鹵素鈣鈦礦材料中的最新進展。

　　報告人簡介：

　　薛堪豪，華中科技大學集成電路學院教授，國家級青年人才。本科與碩士分別畢業于清華大學電子工程系與清華大學微電子學研究所，榮獲2007年清華大學優秀碩士畢業生。2010年取得美國科羅拉多大學博士學位。博士階段關于NiO關聯電子存儲器的工作被國際半導體技術路線圖（ITRS）引用，列為Mott存儲器的一種原型。在Science, Nature Communications, Physical Review Letters等國際期刊上發表論文148篇，其中一作、通訊發表79篇。在VLSI、IEDM會議上發表論文4篇，其中通訊作者2篇。主持國家重點研發計劃課題1項、基金委面上項目2項。研究領域主要包括半導體能帶計算方法、基于二氧化鉿的微納電子器件等。2018年提出的shell DFT-1/2半導體能帶計算方法已被WIEN2k、QuantumATK等著名密度泛函軟件包采用，被Synopsys公司認為具有更好的帶隙精度。Shell DFT-1/2在氧化鎵寬禁帶材料以及III-V超晶格半導體中都取得了優異的計算效果。2023年提出了鉿基鐵電成因的七配位理論。